| Materiale | Ceramica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Forza dell'isolamento | ≥15KV/mm |
| Temperatura di funzionamento | Fino a 1000°C |
| dimensione | Disponibili in varie dimensioni |
| Roverezza della superficie | 0.3-08 Um |
| Dissipazione del calore | Efficienza |
|---|---|
| Materiale | Ceramica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
| Durabilità | Durabilità |
| Resistenza alle temperature | < 700°C |
| Applicazione | Transistor, MOSFET, diodi di Schottky, IGBT, alimentatori di commutazione ad alta densità, apparecch |
| Peso | Leggere |
|---|---|
| Dissipazione del calore | Efficienza |
| Roverezza della superficie | 0.3-08 Um |
| Densità | 30,7 g/cm^3 |
| Forza dell'isolamento | ≥15KV/mm |
| Materiale | Ceramica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Pagina di guerra | ≤ 2‰ |
| Forza meccanica | ≥3000MPa |
| Dissipazione del calore | Efficienza |
| Durabilità | Durabilità |
| Peso | Leggere |
|---|---|
| Dimensione | Disponibili in varie dimensioni |
| Conduttività termica | 9~180 MW/m.K. |
| Roverezza della superficie | 0.3-08 Um |
| Pagina di guerra | ≤ 2‰ |
| Conduttività termica | 9~180 MW/m.K. |
|---|---|
| Pagina di guerra | ≤ 2‰ |
| Durabilità | Durabilità |
| Resistenza alle temperature | < 700°C |
| Forza meccanica | ≥3000MPa |