Dissipazione del calore | Efficienza |
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Materiale | Ceramica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
Durabilità | Durabilità |
Resistenza alle temperature | < 700°C |
Applicazione | Transistor, MOSFET, diodi di Schottky, IGBT, alimentatori di commutazione ad alta densità, apparecch |
Peso | Leggere |
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Dissipazione del calore | Efficienza |
Roverezza della superficie | 0.3-08 Um |
Densità | 30,7 g/cm^3 |
Forza dell'isolamento | ≥15KV/mm |
Materiale | Ceramica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
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Pagina di guerra | ≤ 2‰ |
Forza meccanica | ≥3000MPa |
Dissipazione del calore | Efficienza |
Durabilità | Durabilità |
Peso | Leggere |
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Dimensione | Disponibili in varie dimensioni |
Conduttività termica | 9~180 MW/m.K. |
Roverezza della superficie | 0.3-08 Um |
Pagina di guerra | ≤ 2‰ |
Conduttività termica | 9~180 MW/m.K. |
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Pagina di guerra | ≤ 2‰ |
Durabilità | Durabilità |
Resistenza alle temperature | < 700°C |
Forza meccanica | ≥3000MPa |