| Materiale | Ceramica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Colore | Verde, Nero, Bianco, Grigio |
| Rugosità superficiale | 0.3-08 Um |
| Forza dell'isolamento | ≥15KV/mm |
| Temperatura di esercizio | Fino a 1000°C |
| Durabilità | Durabilità |
|---|---|
| Conduttività termica | Altezza |
| Finitura superficiale | Listo. |
| Applicazione | Dissipazione del calore per dispositivi elettronici |
| Colore | Verde, Nero, Bianco, Grigio |
| Colore | Verde, Nero, Bianco, Grigio |
|---|---|
| Finitura superficiale | Listo. |
| Dimensione | Disponibili in varie dimensioni |
| Resistenza alla corrosione | Eccellente. |
| Isolamento elettrico | - Bene. |
| Compatibilità | Universale |
|---|---|
| Applicazione | Dissipazione del calore per dispositivi elettronici |
| Materiale | Ceramica, SiC, AL2O3, SIO2 |
| Durabilità | Durabilità |
| Isolamento elettrico | - Bene. |
| Conduttività termica | Altezza |
|---|---|
| Resistenza alla corrosione | Eccellente. |
| Compatibilità | Universale |
| Dimensione | Disponibili in varie dimensioni |
| Forza meccanica | Altezza |
| Materiale | Ceramica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Forza dell'isolamento | ≥15KV/mm |
| Temperatura di funzionamento | Fino a 1000°C |
| dimensione | Disponibili in varie dimensioni |
| Roverezza della superficie | 0.3-08 Um |
| Materiale | Ceramica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| dimensione | Disponibili in varie dimensioni |
| Durabilità | Durabilità |
| Applicazione | Transistor, MOSFET, diodi di Schottky, IGBT, alimentatori di commutazione ad alta densità, apparecch |
| Roverezza della superficie | 0.3-08 Um |
| Materiale | Ceramica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Colore | Verde, Nero, Bianco, Grigio |
| Roverezza della superficie | 0.3-08 Um |
| Forza dell'isolamento | ≥15KV/mm |
| Temperatura di funzionamento | Fino a 1000°C |
| Resistenza alle temperature | Alto |
|---|---|
| Dimensione | Disponibili in varie dimensioni |
| Durabilità | Di lunga durata |
| Peso | Leggere |
| Forza meccanica | Alto |
| Tipo | strato termicamente conduttivo del silicone |
|---|---|
| Origine | Dongguan, Cina |
| Resistenza al volume | 1.0*1012 Ohm/cm |
| Temperatura di conduzione termica operativa | -40~200℃ |
| conduttivo termico | 4.0W.m-1.K-1 |